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Infineon Technologies IRFB4110PBF


Fabricant
Référence Fabricant
IRFB4110PBF
Référence EBEE
E82650
Boîtier
TO-220
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
100V 180A 4.5mΩ@10V,75A 370W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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10+$0.6478$ 6.4780
50+$0.5161$ 25.8050
100+$0.4589$ 45.8900
600+$0.4398$ 263.8800
900+$0.4287$ 385.8300
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueInfineon Technologies IRFB4110PBF
RoHS
TypeN-Channel
RDS (on)4.5mΩ@10V
Température de fonctionnement-55℃~+175℃
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)250pF
Number1 N-channel
Pd - Power Dissipation370W
Drain to Source Voltage100V
Gate Threshold Voltage (Vgs(th))4V
Current - Continuous Drain(Id)180A
Ciss-Input Capacitance9.62nF
Output Capacitance(Coss)670pF
Gate Charge(Qg)210nC@10V

Guide d’achat

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