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Infineon Technologies IRFB3207PBF
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRFB3207PBF |
| Référence EBEE | E82578 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 75V 170A 330W 4.5mΩ@10V,75A 4V@250uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.7958 | $ 7.9580 |
| 50+ | $0.6632 | $ 33.1600 |
| 100+ | $0.5811 | $ 58.1100 |
| 350+ | $0.5305 | $ 185.6750 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IRFB3207PBF | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 4.5mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 390pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 330W | |
| Drain to Source Voltage | 75V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 180A | |
| Ciss-Input Capacitance | 7.6nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 710pF | |
| Gate Charge(Qg) | 260nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 1+ | $0.9631 | $ 0.9631 |
| 10+ | $0.7958 | $ 7.9580 |
| 50+ | $0.6632 | $ 33.1600 |
| 100+ | $0.5811 | $ 58.1100 |
| 350+ | $0.5305 | $ 185.6750 |
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