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Infineon Technologies IRFB3206PBF
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRFB3206PBF |
| Référence EBEE | E82642 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 60V 210A 300W 2.4mΩ@10V,75A 2V@150uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.7574 | $ 7.5740 |
| 50+ | $0.6081 | $ 30.4050 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IRFB3206PBF | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 3mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 360pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 300W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 210A | |
| Ciss-Input Capacitance | 6.54nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 720pF | |
| Gate Charge(Qg) | 170nC@10V |
Guide d’achat
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|---|---|---|
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| 10+ | $0.7574 | $ 7.5740 |
| 50+ | $0.6081 | $ 30.4050 |
| 100+ | $0.5288 | $ 52.8800 |
| 350+ | $0.4811 | $ 168.3850 |
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