| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF9310TRPBF |
| Référence EBEE | E892305 |
| Boîtier | SO-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 30V 20A 4.6mΩ@10V,20A 2.5W 2.4V@100uA 1 Piece P-Channel SOIC-8-150mil MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8383 | $ 0.8383 |
| 10+ | $0.6773 | $ 6.7730 |
| 30+ | $0.5961 | $ 17.8830 |
| 100+ | $0.5148 | $ 51.4800 |
| 500+ | $0.4670 | $ 233.5000 |
| 1000+ | $0.4431 | $ 443.1000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,FETs, MOSFETs ,Single FETs, MOSFETs | |
| Fiche Technique | Infineon IRF9310TRPBF | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 4.6mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Number | 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2.5W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 20A | |
| Ciss-Input Capacitance | 5.25nF | |
| Gate Charge(Qg) | 165nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.8383 | $ 0.8383 |
| 10+ | $0.6773 | $ 6.7730 |
| 30+ | $0.5961 | $ 17.8830 |
| 100+ | $0.5148 | $ 51.4800 |
| 500+ | $0.4670 | $ 233.5000 |
| 1000+ | $0.4431 | $ 443.1000 |
