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Infineon Technologies IRF540NPBF
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF540NPBF |
| Référence EBEE | E82566 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 33A 44mΩ@10V,16A 130W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 5+ | $0.3288 | $ 1.6440 |
| 50+ | $0.2626 | $ 13.1300 |
| 150+ | $0.2315 | $ 34.7250 |
| 500+ | $0.2037 | $ 101.8500 |
| 2000+ | $0.1961 | $ 392.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IRF540NPBF | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 44mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 40pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 130W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 33A | |
| Ciss-Input Capacitance | 1.96nF | |
| Gate Charge(Qg) | 71nC@10V |
Guide d’achat
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| 150+ | $0.2315 | $ 34.7250 |
| 500+ | $0.2037 | $ 101.8500 |
| 2000+ | $0.1961 | $ 392.2000 |
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