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Infineon Technologies IRF3205PBF
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF3205PBF |
| Référence EBEE | E82561 |
| Boîtier | TO-220AB |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 55V 110A 8mΩ@10V,62A 200W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220AB MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IRF3205PBF | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 8mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 211pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 200W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 110A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.247nF | |
| Gate Charge(Qg) | 146nC@10V |
Guide d’achat
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