| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IKW50N65H5 |
| Référence EBEE | E8476108 |
| Boîtier | TO-247-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7880 | $ 2.7880 |
| 10+ | $2.4200 | $ 24.2000 |
| 30+ | $2.0392 | $ 61.1760 |
| 90+ | $1.8030 | $ 162.2700 |
| 510+ | $1.6953 | $ 864.6030 |
| 990+ | $1.6503 | $ 1633.7970 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IKW50N65H5 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 650V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 305W | |
| Gate Charge(Qg) | 120nC@15V | |
| Td(off) | 180ns | |
| Td(on) | 21ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 11pF | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 57ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 180uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 520uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 3nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 150A | |
| Output Capacitance(Coes) | 65pF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.7880 | $ 2.7880 |
| 10+ | $2.4200 | $ 24.2000 |
| 30+ | $2.0392 | $ 61.1760 |
| 90+ | $1.8030 | $ 162.2700 |
| 510+ | $1.6953 | $ 864.6030 |
| 990+ | $1.6503 | $ 1633.7970 |
