| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IKB10N60T |
| Référence EBEE | E8536143 |
| Boîtier | TO-263-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | TO-263-3 IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0018 | $ 1.0018 |
| 10+ | $0.8206 | $ 8.2060 |
| 30+ | $0.7293 | $ 21.8790 |
| 100+ | $0.6395 | $ 63.9500 |
| 500+ | $0.5860 | $ 293.0000 |
| 1000+ | $0.5576 | $ 557.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,Transistors/modules IGBT | |
| Fiche Technique | Infineon Technologies IKB10N60T | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+175℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 600V | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | [email protected] | |
| Pd - Power Dissipation | 110W | |
| Gate Charge(Qg) | 62nC@15V | |
| Td(off) | 215ns | |
| Td(on) | 12ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | 115ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 270uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 160uJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 551pF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 30A |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $1.0018 | $ 1.0018 |
| 10+ | $0.8206 | $ 8.2060 |
| 30+ | $0.7293 | $ 21.8790 |
| 100+ | $0.6395 | $ 63.9500 |
| 500+ | $0.5860 | $ 293.0000 |
| 1000+ | $0.5576 | $ 557.6000 |
