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Infineon Technologies IGW25T120


Fabricant
Référence Fabricant
IGW25T120
Référence EBEE
E8536094
Boîtier
TO-247-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
EAR99
Description
TO-247-3 IGBT Transistors / Modules ROHS
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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153 En stock pour livraison rapide
153 disponible pour livraison immédiate
Peut être expédié en 1-2 jours ouvrables
Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
1+$4.2864$ 4.2864
10+$4.0863$ 40.8630
30+$3.9670$ 119.0100
90+$3.8459$ 346.1310
510+$3.7895$ 1932.6450
990+$3.7637$ 3726.0630
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TypeDescription
Tout sélectionner
CatégorieDiscrete Semiconductors ,IGBTs ,Single IGBTs
Fiche TechniqueInfineon IGW25T120
RoHS
Température de fonctionnement-40℃~+150℃
Tension de la rupture collector-émetteur (Vces)1.2kV
Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic)5V@1mA
Pd - Power Dissipation190W
IGBT TypeFS (Field Stop)
Gate Charge(Qg)155nC@15V
Td(off)560ns
Td(on)50ns
Reverse Transfer Capacitance (Cres)82pF
Switching Energy(Eoff)2.2mJ
Turn-On Energy (Eon)2mJ
Output Capacitance(Coes)96pF

Guide d’achat

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