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Infineon Technologies FF200R12KT4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FF200R12KT4 |
| Référence EBEE | E8541002 |
| Boîtier | Screw Terminals |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 1.1kW 320A 1.2kV IGBT module IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Fiche Technique | Infineon FF200R12KT4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 320A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.1kW | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Gate Charge(Qg) | - | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 1.75V@200A,15V | |
| Td(off) | - | |
| Td(on) | 160ns | |
| Reverse Recovery Time(trr) | - | |
| Switching Energy(Eoff) | 14mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 10mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.4nF@25V |
Guide d’achat
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