| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FZ600R12KS4 |
| Référence EBEE | E8535645 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | IGBT Transistors / Modules ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $131.4597 | $ 131.4597 |
| 30+ | $125.7882 | $ 3773.6460 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Fiche Technique | Infineon FZ600R12KS4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+125℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 4.5V@24mA | |
| Current - Collector(Ic) | 700A | |
| Pd - Power Dissipation | 3.9kW | |
| IGBT Type | IGBT Module | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3.85V@600A,15V | |
| Td(off) | 530ns | |
| Td(on) | 100ns | |
| Switching Energy(Eoff) | 46mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 22mJ | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 1200A |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $131.4597 | $ 131.4597 |
| 30+ | $125.7882 | $ 3773.6460 |
