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Infineon Technologies FF150R12KS4
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | FF150R12KS4 |
| Référence EBEE | E8540932 |
| Boîtier | Screw Terminals |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Fiche Technique | Infineon FF150R12KS4 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+125℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 4.5V@6mA | |
| Current - Collector(Ic) | 225A | |
| Pd - Power Dissipation | 1.25kW | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 3.7V@150A,15V | |
| Td(off) | 530ns | |
| Td(on) | 100ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 0.5nF | |
| Switching Energy(Eoff) | 11mJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 14.5mJ | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 300A |
Guide d’achat
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