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onsemi NXH25C120L2C2SG
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | NXH25C120L2C2SG |
| Référence EBEE | E8906528 |
| Boîtier | DIP-26 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | DIP-26 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| Fiche Technique | onsemi NXH25C120L2C2SG | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | [email protected] | |
| Current - Collector(Ic) | 25A | |
| Vce Saturation(VCE(sat)) | 2.4V@25A,15V | |
| Td(off) | 235ns | |
| Td(on) | 68ns | |
| Reverse Transfer Capacitance (Cres) | 117pF | |
| Switching Energy(Eoff) | 720uJ | |
| Turn-On Energy (Eon) | 2.2mJ | |
| Input Capacitance(Cies) | 6.2nF | |
| Pulsed Current- Forward(Ifm) | 370A |
Guide d’achat
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