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Infineon Technologies F3L25R12W1T4B27
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | F3L25R12W1T4B27 |
| Référence EBEE | E83190223 |
| Boîtier | - |
| Numéro Client | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 215W 45A 1.2kV IGBT Transistors / Modules ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Discrete Semiconductors ,IGBTs ,IGBT Modules | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Tension de la rupture collector-émetteur (Vces) | 1.2kV | |
| Tension seuil séduite par les porte-à-l'environnement (Vge(ème)-Ic) | 2.25V@15V,25A | |
| Current - Collector(Ic) | 45A | |
| Pd - Power Dissipation | 215W | |
| IGBT Type | - | |
| Input Capacitance(Cies) | 1.45nF@25V |
Guide d’achat
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