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HXY MOSFET SI2318
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2318 |
| Référence EBEE | E85337198 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 40V 5A 38mΩ@10V 2V 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0518 | $ 0.5180 |
| 100+ | $0.0429 | $ 4.2900 |
| 300+ | $0.0384 | $ 11.5200 |
| 3000+ | $0.0313 | $ 93.9000 |
| 6000+ | $0.0286 | $ 171.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET SI2318 | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 52mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 30pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.56W | |
| Drain to Source Voltage | 40V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 340pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.8nC@20V |
Guide d’achat
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|---|---|---|
| 10+ | $0.0518 | $ 0.5180 |
| 100+ | $0.0429 | $ 4.2900 |
| 300+ | $0.0384 | $ 11.5200 |
| 3000+ | $0.0313 | $ 93.9000 |
| 6000+ | $0.0286 | $ 171.6000 |
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