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HXY MOSFET SI2310-HXY
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SI2310-HXY |
| Référence EBEE | E84748716 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 3A 1.7W 86mΩ@10V,3A 2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| 10+ | $0.0274 | $ 0.2740 |
| 100+ | $0.0227 | $ 2.2700 |
| 300+ | $0.0204 | $ 6.1200 |
| 3000+ | $0.0173 | $ 51.9000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET SI2310-HXY | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS(on) | 72mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 26pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.7W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.3V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 510pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 34pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
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|---|---|---|
| 10+ | $0.0274 | $ 0.2740 |
| 100+ | $0.0227 | $ 2.2700 |
| 300+ | $0.0204 | $ 6.1200 |
| 3000+ | $0.0173 | $ 51.9000 |
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