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HXY MOSFET HXY5N10AI
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HXY5N10AI |
| Référence EBEE | E83033404 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 5A 125mΩ@10V,4A 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0308 | $ 0.3080 |
| 100+ | $0.0253 | $ 2.5300 |
| 300+ | $0.0224 | $ 6.7200 |
| 3000+ | $0.0194 | $ 58.2000 |
| 6000+ | $0.0178 | $ 106.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET HXY5N10AI | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 125mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 3.6pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 3.1W | |
| Drain to Source Voltage | 100V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 182pF | |
| Gate Charge(Qg) | 3.57nC@10V |
Guide d’achat
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| 300+ | $0.0224 | $ 6.7200 |
| 3000+ | $0.0194 | $ 58.2000 |
| 6000+ | $0.0178 | $ 106.8000 |
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