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HXY MOSFET AO3422-HXY
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AO3422-HXY |
| Référence EBEE | E84748727 |
| Boîtier | SOT-23-3L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 4.5A 8W 75mΩ@10V,5A 2.5V@250uA 1 N-Channel SOT-23-3L MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0526 | $ 0.5260 |
| 100+ | $0.0440 | $ 4.4000 |
| 300+ | $0.0396 | $ 11.8800 |
| 3000+ | $0.0309 | $ 92.7000 |
| 6000+ | $0.0283 | $ 169.8000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET AO3422-HXY | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 90mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 7pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 8W | |
| Drain to Source Voltage | 60V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2.5V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4.5A | |
| Ciss-Input Capacitance | 695pF | |
| Gate Charge(Qg) | 5.5nC@10V |
Guide d’achat
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| 100+ | $0.0440 | $ 4.4000 |
| 300+ | $0.0396 | $ 11.8800 |
| 3000+ | $0.0309 | $ 92.7000 |
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