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HXY MOSFET AO3400-HXY
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AO3400-HXY |
| Référence EBEE | E84748804 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 30V 5.8A 28mΩ@10V,5.8A 1.4W 1.4V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0218 | $ 1.0900 |
| 500+ | $0.0177 | $ 8.8500 |
| 3000+ | $0.0139 | $ 41.7000 |
| 6000+ | $0.0125 | $ 75.0000 |
| 24000+ | $0.0114 | $ 273.6000 |
| 51000+ | $0.0107 | $ 545.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET AO3400-HXY | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 30mΩ@10V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 78pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Drain to Source Voltage | 30V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 700mV | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 5.8A | |
| Ciss-Input Capacitance | 825pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 50+ | $0.0218 | $ 1.0900 |
| 500+ | $0.0177 | $ 8.8500 |
| 3000+ | $0.0139 | $ 41.7000 |
| 6000+ | $0.0125 | $ 75.0000 |
| 24000+ | $0.0114 | $ 273.6000 |
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