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HXY MOSFET AO3400-ED
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | AO3400-ED |
| Référence EBEE | E84748722 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 3A 900mW 55mΩ@10V,2.8A 1.2V@250uA 1 N-Channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 50+ | $0.0193 | $ 0.9650 |
| 500+ | $0.0159 | $ 7.9500 |
| 3000+ | $0.0122 | $ 36.6000 |
| 6000+ | $0.0110 | $ 66.0000 |
| 24000+ | $0.0100 | $ 240.0000 |
| 51000+ | $0.0095 | $ 484.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | HXY MOSFET AO3400-ED | |
| RoHS | ||
| RDS(on) | 55mΩ@4.5V | |
| Operating Temperature - | -55℃~+150℃ | |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 27pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 900mW | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 3A | |
| Ciss-Input Capacitance | 260pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.0193 | $ 0.9650 |
| 500+ | $0.0159 | $ 7.9500 |
| 3000+ | $0.0122 | $ 36.6000 |
| 6000+ | $0.0110 | $ 66.0000 |
| 24000+ | $0.0100 | $ 240.0000 |
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