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HX(hengjiaxing) HX8205
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HX8205 |
| Référence EBEE | E8296127 |
| Boîtier | SOT-23-6L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 20V 4A 28mΩ@2.5V,3A 1.4W 1.2V@250uA SOT-23-6 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0227 | $ 0.4540 |
| 200+ | $0.0178 | $ 3.5600 |
| 600+ | $0.0151 | $ 9.0600 |
| 3000+ | $0.0119 | $ 35.7000 |
| 9000+ | $0.0105 | $ 94.5000 |
| 21000+ | $0.0097 | $ 203.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HX(hengjiaxing) HX8205 | |
| RoHS | ||
| RDS (on) | 28mΩ@2.5V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 140pF | |
| Number | 2 N-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 1.4W | |
| Drain to Source Voltage | 20V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 1.2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 600pF | |
| Gate Charge(Qg) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 200+ | $0.0178 | $ 3.5600 |
| 600+ | $0.0151 | $ 9.0600 |
| 3000+ | $0.0119 | $ 35.7000 |
| 9000+ | $0.0105 | $ 94.5000 |
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