| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HSS2312 |
| Référence EBEE | E82903555 |
| Boîtier | SOT-23L |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 6A 1.4W 15mΩ@4.5V,6A 700mV@250uA 1 N-Channel SOT-23L MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0528 | $ 0.5280 |
| 100+ | $0.0470 | $ 4.7000 |
| 300+ | $0.0440 | $ 13.2000 |
| 3000+ | $0.0367 | $ 110.1000 |
| 6000+ | $0.0350 | $ 210.0000 |
| 9000+ | $0.0340 | $ 306.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HUASHUO HSS2312 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 6A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 15mΩ@4.5V,6A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 1.4W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 700mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 100pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 900pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0528 | $ 0.5280 |
| 100+ | $0.0470 | $ 4.7000 |
| 300+ | $0.0440 | $ 13.2000 |
| 3000+ | $0.0367 | $ 110.1000 |
| 6000+ | $0.0350 | $ 210.0000 |
| 9000+ | $0.0340 | $ 306.0000 |
