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HUASHUO HSCB10P02
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HSCB10P02 |
| Référence EBEE | E828314515 |
| Boîtier | DFN-6L(2x2) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 10A 20mΩ@4.5V,8A 3.5W 600mV@250uA 1 Piece P-Channel DFN-6L(2x2) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0500 | $ 0.5000 |
| 100+ | $0.0406 | $ 4.0600 |
| 300+ | $0.0359 | $ 10.7700 |
| 1000+ | $0.0323 | $ 32.3000 |
| 5000+ | $0.0296 | $ 148.0000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HUASHUO HSCB10P02 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 10A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 20mΩ@4.5V,8A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 3.5W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 600mV@250uA |
Guide d’achat
Développer
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