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HUASHUO HSBG2024


Fabricant
Référence Fabricant
HSBG2024
Référence EBEE
E8508789
Boîtier
X1-DFN1006-3
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
20V 1.4A 230mΩ@4.5V,550mA 700mW 1V@250uA 1 N-Channel X1-DFN1006-3 MOSFETs ROHS
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Qté.Prix unitairePrix total
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100+$0.0474$ 4.7400
300+$0.0420$ 12.6000
1000+$0.0380$ 38.0000
5000+$0.0305$ 152.5000
10000+$0.0289$ 289.0000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueHUASHUO HSBG2024
RoHS
Type1 N-Channel
Tension de source de égout (Vdss)20V
Courant de drainage continu (Id)1.4A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)230mΩ@4.5V,550mA
Dissipation de puissance (Pd)700mW
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)1V@250uA

Guide d’achat

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