| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HSBB6115 |
| Référence EBEE | E8845604 |
| Boîtier | DFN-8(3x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 60V 26A 25mΩ@10V,10A 5.2W 2.5V@250uA 1 Piece P-Channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4020 | $ 0.4020 |
| 10+ | $0.3188 | $ 3.1880 |
| 30+ | $0.2844 | $ 8.5320 |
| 100+ | $0.2409 | $ 24.0900 |
| 500+ | $0.2155 | $ 107.7500 |
| 1000+ | $0.2047 | $ 204.7000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HUASHUO HSBB6115 | |
| RoHS | ||
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 26A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 25mΩ@10V,10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 5.2W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4020 | $ 0.4020 |
| 10+ | $0.3188 | $ 3.1880 |
| 30+ | $0.2844 | $ 8.5320 |
| 100+ | $0.2409 | $ 24.0900 |
| 500+ | $0.2155 | $ 107.7500 |
| 1000+ | $0.2047 | $ 204.7000 |
