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HUASHUO HSBB6066
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HSBB6066 |
| Référence EBEE | E82828498 |
| Boîtier | DFN-8(3x3) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | 60V 60A 4.4mΩ@10A 45W 1.2V@250uA 1 N-channel DFN-8(3x3) MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.4204 | $ 0.4204 |
| 10+ | $0.3317 | $ 3.3170 |
| 30+ | $0.2945 | $ 8.8350 |
| 100+ | $0.2466 | $ 24.6600 |
| 500+ | $0.2200 | $ 110.0000 |
| 1000+ | $0.2076 | $ 207.6000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HUASHUO HSBB6066 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 60A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 4.4mΩ@10A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 45W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1.2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 25pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 1670pF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| 1+ | $0.4204 | $ 0.4204 |
| 10+ | $0.3317 | $ 3.3170 |
| 30+ | $0.2945 | $ 8.8350 |
| 100+ | $0.2466 | $ 24.6600 |
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