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HUASHUO HSBA15810C


Fabricant
Référence Fabricant
HSBA15810C
Référence EBEE
E8845605
Boîtier
PQFN-8(5x6)
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
None
Description
100V 100A 4.5mΩ@10V,30A 208W 4V@250uA 1 N-channel PQFN-8(5x6) MOSFETs ROHS
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100+$0.6345$ 63.4500
500+$0.5744$ 287.2000
1000+$0.5444$ 544.4000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueHUASHUO HSBA15810C
RoHS
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)100V
Courant de drainage continu (Id)100A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)4.5mΩ@10V,30A
Dissipation de puissance (Pd)208W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)4V@250uA

Guide d’achat

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