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HTCSEMI HT75NF75ASZ
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HT75NF75ASZ |
| Référence EBEE | E82874954 |
| Boîtier | TO-263 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| Description | 80V 80A 0.011Ω@10V,37.5A 173W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HTCSEMI HT75NF75ASZ | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 8mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 275pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 173W | |
| Drain to Source Voltage | 80V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 80A | |
| Ciss-Input Capacitance | 3.38nF | |
| Output Capacitance(Coss) | 1.22nF | |
| Gate Charge(Qg) | 105nC@10V |
Guide d’achat
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