| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HD7N50E(BHB) |
| Référence EBEE | E82688937 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 530V 7A 1.05Ω@10V,3.5A 45W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3757 | $ 0.3757 |
| 10+ | $0.2977 | $ 2.9770 |
| 30+ | $0.2651 | $ 7.9530 |
| 100+ | $0.2233 | $ 22.3300 |
| 500+ | $0.2052 | $ 102.6000 |
| 1000+ | $0.1942 | $ 194.2000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HL(Haolin Elec) HD7N50E(BHB) | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 530V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 7A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.05Ω@10V,3.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 45W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 11.5pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 750pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 15.5nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3757 | $ 0.3757 |
| 10+ | $0.2977 | $ 2.9770 |
| 30+ | $0.2651 | $ 7.9530 |
| 100+ | $0.2233 | $ 22.3300 |
| 500+ | $0.2052 | $ 102.6000 |
| 1000+ | $0.1942 | $ 194.2000 |
