| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HD60N08(AGF) |
| Référence EBEE | E82689027 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 80V 60A 13mΩ@10V,40A 85W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2882 | $ 0.2882 |
| 10+ | $0.2338 | $ 2.3380 |
| 30+ | $0.2103 | $ 6.3090 |
| 100+ | $0.1812 | $ 18.1200 |
| 500+ | $0.1505 | $ 75.2500 |
| 1000+ | $0.1428 | $ 142.8000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HL(Haolin Elec) HD60N08(AGF) | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 80V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 60A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 13mΩ@10V,40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 85W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 3V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 80pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.498nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 36nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.2882 | $ 0.2882 |
| 10+ | $0.2338 | $ 2.3380 |
| 30+ | $0.2103 | $ 6.3090 |
| 100+ | $0.1812 | $ 18.1200 |
| 500+ | $0.1505 | $ 75.2500 |
| 1000+ | $0.1428 | $ 142.8000 |
