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HL(Haolin Elec) HD60N08(AGF)


Fabricant
Référence Fabricant
HD60N08(AGF)
Référence EBEE
E82689027
Boîtier
TO-252-2
Numéro Client
Fiche Technique
Modèles EDA
ECCN
-
Description
80V 60A 13mΩ@10V,40A 85W 3V@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
Qté.Prix unitairePrix total
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10+$0.2338$ 2.3380
30+$0.2103$ 6.3090
100+$0.1812$ 18.1200
500+$0.1505$ 75.2500
1000+$0.1428$ 142.8000
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TypeDescription
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CatégorieTransistors/Thyistors ,MOSFET
Fiche TechniqueHL(Haolin Elec) HD60N08(AGF)
RoHS
Température de fonctionnement-55℃~+150℃@(Tj)
Type1 N-channel
Tension de source de égout (Vdss)80V
Courant de drainage continu (Id)60A
Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id)13mΩ@10V,40A
Dissipation de puissance (Pd)85W
Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id)3V@250uA
Capacité de transfert inversé (Crss-Vds)80pF@25V
Capacité d'entrée (Ciss-Vds)2.498nF@25V
Charge totale de la Portail (Qg-Vgs)36nC@10V

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