| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HD5N50(BEO) |
| Référence EBEE | E82688920 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 520V 5A 1.5Ω@10V,2.5A 38W 2V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3376 | $ 1.6880 |
| 50+ | $0.2690 | $ 13.4500 |
| 150+ | $0.2395 | $ 35.9250 |
| 500+ | $0.2029 | $ 101.4500 |
| 2500+ | $0.1795 | $ 448.7500 |
| 5000+ | $0.1697 | $ 848.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HL(Haolin Elec) HD5N50(BEO) | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 520V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 1.5Ω@10V,2.5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 38W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 15pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 840pF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 20nC |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3376 | $ 1.6880 |
| 50+ | $0.2690 | $ 13.4500 |
| 150+ | $0.2395 | $ 35.9250 |
| 500+ | $0.2029 | $ 101.4500 |
| 2500+ | $0.1795 | $ 448.7500 |
| 5000+ | $0.1697 | $ 848.5000 |
