| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HD50N06D(AHI) |
| Référence EBEE | E82688941 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 50A 0.015Ω@10V,15A 3.75W 1V@250uA TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3033 | $ 1.5165 |
| 50+ | $0.2450 | $ 12.2500 |
| 150+ | $0.2199 | $ 32.9850 |
| 500+ | $0.1886 | $ 94.3000 |
| 2500+ | $0.1528 | $ 382.0000 |
| 5000+ | $0.1444 | $ 722.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HL(Haolin Elec) HD50N06D(AHI) | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | - | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 50A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 0.015Ω@10V,15A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 3.75W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 1V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 120pF@20V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2270pF@20V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 52nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3033 | $ 1.5165 |
| 50+ | $0.2450 | $ 12.2500 |
| 150+ | $0.2199 | $ 32.9850 |
| 500+ | $0.1886 | $ 94.3000 |
| 2500+ | $0.1528 | $ 382.0000 |
| 5000+ | $0.1444 | $ 722.0000 |
