| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HD100N02 |
| Référence EBEE | E82149763 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 100A 3.9mΩ@4.5V,20A 87W 700mV@250uA 1 N-channel TO-252-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2571 | $ 1.2855 |
| 50+ | $0.2038 | $ 10.1900 |
| 150+ | $0.1809 | $ 27.1350 |
| 500+ | $0.1524 | $ 76.2000 |
| 2500+ | $0.1396 | $ 349.0000 |
| 5000+ | $0.1320 | $ 660.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HL(Haolin Elec) HD100N02 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 100A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 3.9mΩ@4.5V,20A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 87W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 700mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 265pF@15V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.8nF@15V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.2571 | $ 1.2855 |
| 50+ | $0.2038 | $ 10.1900 |
| 150+ | $0.1809 | $ 27.1350 |
| 500+ | $0.1524 | $ 76.2000 |
| 2500+ | $0.1396 | $ 349.0000 |
| 5000+ | $0.1320 | $ 660.0000 |
