| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HB3710P |
| Référence EBEE | E8271447 |
| Boîtier | TO-263-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 100V 70A 15mΩ@10V,35A 200W 2V@250uA 1 N-channel TO-263-2 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5210 | $ 0.5210 |
| 10+ | $0.4211 | $ 4.2110 |
| 50+ | $0.3521 | $ 17.6050 |
| 100+ | $0.2996 | $ 29.9600 |
| 500+ | $0.2759 | $ 137.9500 |
| 1000+ | $0.2614 | $ 261.4000 |
| 2000+ | $0.2578 | $ 515.6000 |
| 4000+ | $0.2560 | $ 1024.0000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HL(Haolin Elec) HB3710P | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 100V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 70A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 15mΩ@10V,35A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 200W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 260pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 2.7nF |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5210 | $ 0.5210 |
| 10+ | $0.4211 | $ 4.2110 |
| 50+ | $0.3521 | $ 17.6050 |
| 100+ | $0.2996 | $ 29.9600 |
| 500+ | $0.2759 | $ 137.9500 |
| 1000+ | $0.2614 | $ 261.4000 |
| 2000+ | $0.2578 | $ 515.6000 |
| 4000+ | $0.2560 | $ 1024.0000 |
