| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HB100N08 |
| Référence EBEE | E82149758 |
| Boîtier | TO-263 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 82V 100A 6.5mΩ@10V,40A 147W 4V@250uA 1 N-channel TO-263 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5718 | $ 0.5718 |
| 10+ | $0.4738 | $ 4.7380 |
| 50+ | $0.4102 | $ 20.5100 |
| 100+ | $0.3631 | $ 36.3100 |
| 500+ | $0.3322 | $ 166.1000 |
| 1000+ | $0.3176 | $ 317.6000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | HL(Haolin Elec) HB100N08 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 82V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 100A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 6.5mΩ@10V,40A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 147W | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 4V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 145pF@25V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 5.053nF@25V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 115nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5718 | $ 0.5718 |
| 10+ | $0.4738 | $ 4.7380 |
| 50+ | $0.4102 | $ 20.5100 |
| 100+ | $0.3631 | $ 36.3100 |
| 500+ | $0.3322 | $ 166.1000 |
| 1000+ | $0.3176 | $ 317.6000 |
