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High Diode HD2312
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HD2312 |
| Référence EBEE | E8571349 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 5A 18mΩ@4.5V,5A 350mW 450mV@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0521 | $ 0.5210 |
| 100+ | $0.0417 | $ 4.1700 |
| 300+ | $0.0366 | $ 10.9800 |
| 3000+ | $0.0324 | $ 97.2000 |
| 6000+ | $0.0294 | $ 176.4000 |
| 9000+ | $0.0278 | $ 250.2000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | High Diode HD2312 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -50℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 5A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 18mΩ@4.5V,5A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 350mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 450mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 55pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 865pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | - |
Guide d’achat
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0521 | $ 0.5210 |
| 100+ | $0.0417 | $ 4.1700 |
| 300+ | $0.0366 | $ 10.9800 |
| 3000+ | $0.0324 | $ 97.2000 |
| 6000+ | $0.0294 | $ 176.4000 |
| 9000+ | $0.0278 | $ 250.2000 |
