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High Diode HD2310
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HD2310 |
| Référence EBEE | E8571348 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 3A 70mΩ@10V,3A 350mW 500mV@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0621 | $ 0.6210 |
| 100+ | $0.0513 | $ 5.1300 |
| 300+ | $0.0459 | $ 13.7700 |
| 3000+ | $0.0361 | $ 108.3000 |
| 6000+ | $0.0329 | $ 197.4000 |
| 9000+ | $0.0313 | $ 281.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | High Diode HD2310 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 3A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 70mΩ@10V,3A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 350mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 500mV@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 20pF@30V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 250pF@30V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
Guide d’achat
Développer
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 10+ | $0.0621 | $ 0.6210 |
| 100+ | $0.0513 | $ 5.1300 |
| 300+ | $0.0459 | $ 13.7700 |
| 3000+ | $0.0361 | $ 108.3000 |
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