| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HD2302 |
| Référence EBEE | E8466663 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 20V 2.1A 400mW 115mΩ@2.5V,2.1A 0.65V@50uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0352 | $ 0.7040 |
| 200+ | $0.0281 | $ 5.6200 |
| 600+ | $0.0246 | $ 14.7600 |
| 3000+ | $0.0217 | $ 65.1000 |
| 9000+ | $0.0196 | $ 176.4000 |
| 21000+ | $0.0185 | $ 388.5000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | High Diode HD2302 | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 20V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 2.1A | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 115mΩ@2.5V,2.1A | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 400mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 0.65V@50uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 80pF@10V | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 300pF@10V | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | [email protected] |
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0352 | $ 0.7040 |
| 200+ | $0.0281 | $ 5.6200 |
| 600+ | $0.0246 | $ 14.7600 |
| 3000+ | $0.0217 | $ 65.1000 |
| 9000+ | $0.0196 | $ 176.4000 |
| 21000+ | $0.0185 | $ 388.5000 |
