| Fabricant | |
| Référence Fabricant | 2N7002K |
| Référence EBEE | E8466661 |
| Boîtier | SOT-23 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 60V 340mA 5.3Ω@4.5V,200mA 350mW 2.5V@250uA 1 N-channel SOT-23 MOSFETs ROHS |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0254 | $ 0.5080 |
| 200+ | $0.0205 | $ 4.1000 |
| 600+ | $0.0178 | $ 10.6800 |
| 3000+ | $0.0151 | $ 45.3000 |
| 9000+ | $0.0137 | $ 123.3000 |
| 21000+ | $0.0129 | $ 270.9000 |
| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | High Diode 2N7002K | |
| RoHS | ||
| Température de fonctionnement | -40℃~+150℃ | |
| Type | 1 N-channel | |
| Tension de source de égout (Vdss) | 60V | |
| Courant de drainage continu (Id) | 340mA | |
| Source d'égouts à la résistance (RDS(on)-Vgs,Id) | 5.3Ω@4.5V,200mA | |
| Dissipation de puissance (Pd) | 350mW | |
| Tension de seuil de la porte (Vgs(th)-Id) | 2.5V@250uA | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 10pF | |
| Capacité d'entrée (Ciss-Vds) | 40pF | |
| Charge totale de la Portail (Qg-Vgs) | 30nC@10V |
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 20+ | $0.0254 | $ 0.5080 |
| 200+ | $0.0205 | $ 4.1000 |
| 600+ | $0.0178 | $ 10.6800 |
| 3000+ | $0.0151 | $ 45.3000 |
| 9000+ | $0.0137 | $ 123.3000 |
| 21000+ | $0.0129 | $ 270.9000 |
