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HARRIS RFM12P10
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RFM12P10 |
| Référence EBEE | E83291249 |
| Boîtier | TO-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 100V 12A 300mΩ@10V,6A 100W 4V@1mA 1 Piece P-Channel TO-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2093 | $ 2.2093 |
| 200+ | $0.8554 | $ 171.0800 |
| 500+ | $0.8251 | $ 412.5500 |
| 1000+ | $0.8110 | $ 811.0000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | HARRIS RFM12P10 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 Piece P-Channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 100V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 12A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 300mΩ@10V,6A | |
| Power Dissipation (Pd) | 100W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@1mA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 1.5nF@25V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.2093 | $ 2.2093 |
| 200+ | $0.8554 | $ 171.0800 |
| 500+ | $0.8251 | $ 412.5500 |
| 1000+ | $0.8110 | $ 811.0000 |
