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HARRIS RFD16N05L
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | RFD16N05L |
| Référence EBEE | E86386232 |
| Boîtier | TO-251AA |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 50V 16A 9W 47mΩ@5V,16A 1V@25mA 1 N-channel TO-251AA MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5624 | $ 3.5624 |
| 200+ | $1.4222 | $ 284.4400 |
| 500+ | $1.3752 | $ 687.6000 |
| 1000+ | $1.3508 | $ 1350.8000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | HARRIS RFD16N05L | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 50V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 16A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 47mΩ@5V,16A | |
| Power Dissipation (Pd) | 9W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 1V@25mA | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 80nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $3.5624 | $ 3.5624 |
| 200+ | $1.4222 | $ 284.4400 |
| 500+ | $1.3752 | $ 687.6000 |
| 1000+ | $1.3508 | $ 1350.8000 |
