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HARRIS IRF712
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | IRF712 |
| Référence EBEE | E83290293 |
| Boîtier | TO-220-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 400V 1.7A 5Ω@10V,1.1A 36W 4V@250uA 1 N-channel TO-220-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5856 | $ 0.5856 |
| 200+ | $0.2272 | $ 45.4400 |
| 500+ | $0.2183 | $ 109.1500 |
| 1000+ | $0.2147 | $ 214.7000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,MOSFETs | |
| Fiche Technique | HARRIS IRF712 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | 1 N-channel | |
| Drain Source Voltage (Vdss) | 400V | |
| Continuous Drain Current (Id) | 1.7A | |
| Drain Source On Resistance (RDS(on)@Vgs,Id) | 5Ω@10V,1.1A | |
| Power Dissipation (Pd) | 36W | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)@Id) | 4V@250uA | |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 135pF@25V | |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 12nC@10V |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.5856 | $ 0.5856 |
| 200+ | $0.2272 | $ 45.4400 |
| 500+ | $0.2183 | $ 109.1500 |
| 1000+ | $0.2147 | $ 214.7000 |
