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HARRIS HGTP10N40F1D
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HGTP10N40F1D |
| Référence EBEE | E83193394 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 75W 12A 400V TO-220 IGBT Transistors / Modules ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9172 | $ 2.9172 |
| 200+ | $1.1303 | $ 226.0600 |
| 500+ | $1.0895 | $ 544.7500 |
| 1000+ | $1.0701 | $ 1070.1000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Fiche Technique | HARRIS HGTP10N40F1D | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Collector Current (Ic) | 12A | |
| Power Dissipation (Pd) | 75W | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 400V | |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2.5V@10V,5A | |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 13.4nC | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
Guide d’achat
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $2.9172 | $ 2.9172 |
| 200+ | $1.1303 | $ 226.0600 |
| 500+ | $1.0895 | $ 544.7500 |
| 1000+ | $1.0701 | $ 1070.1000 |
