Recommonended For You
Les images sont à titre indicatif uniquement
Ajouter aux favoris
HARRIS HGT1S12N60C3
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | HGT1S12N60C3 |
| Référence EBEE | E83191155 |
| Boîtier | I2PAK(TO-262) |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | EAR99 |
| Description | 104W 24A 600V I2PAK(TO-262) IGBT Transistors / Modules ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
En savoir plus >>En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6792 | $ 4.6792 |
| 200+ | $1.8117 | $ 362.3400 |
| 500+ | $1.7479 | $ 873.9500 |
| 1000+ | $1.7159 | $ 1715.9000 |
Recommandé Pour Vous
Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyristors ,IGBT Transistors / Modules | |
| Fiche Technique | HARRIS HGT1S12N60C3 | |
| RoHS | ||
| Operating Temperature | -40℃~+150℃@(Tj) | |
| Type | - | |
| Collector Current (Ic) | 24A | |
| Power Dissipation (Pd) | 104W | |
| Collector-Emitter Breakdown Voltage (Vces) | 600V | |
| Input Capacitance (Cies@Vce) | - | |
| Gate-Emitter Threshold Voltage (Vge(th)@Ic) | 2V@15V,12A | |
| Total Gate Charge (Qg@Ic,Vge) | 62nC | |
| Turn?on Switching Loss (Eon) | - |
Guide d’achat
Développer
En stock : Veuillez vous renseigner
Veuillez envoyer un RFQ, nous répondrons immédiatement.
Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $4.6792 | $ 4.6792 |
| 200+ | $1.8117 | $ 362.3400 |
| 500+ | $1.7479 | $ 873.9500 |
| 1000+ | $1.7159 | $ 1715.9000 |
