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Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SVF7N65CMJ |
| Référence EBEE | E8403825 |
| Boîtier | TO-251-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 7A 90W 1.1Ω@10V,3.5A 4V@250uA 1 N-channel TO-251-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3775 | $ 1.8875 |
| 50+ | $0.2972 | $ 14.8600 |
| 150+ | $0.2619 | $ 39.2850 |
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| 2475+ | $0.1992 | $ 493.0200 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CMJ | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.1Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 9pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 90W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 789pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 98pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 5+ | $0.3775 | $ 1.8875 |
| 50+ | $0.2972 | $ 14.8600 |
| 150+ | $0.2619 | $ 39.2850 |
| 525+ | $0.2185 | $ 114.7125 |
| 2475+ | $0.1992 | $ 493.0200 |
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