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Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CDTR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SVF7N65CDTR |
| Référence EBEE | E82930957 |
| Boîtier | TO-252-2 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | TO-252-2 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3584 | $ 1.7920 |
| 50+ | $0.2877 | $ 14.3850 |
| 150+ | $0.2573 | $ 38.5950 |
| 500+ | $0.2138 | $ 106.9000 |
| 2500+ | $0.1970 | $ 492.5000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Hangzhou Silan Microelectronics SVF7N65CDTR | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 1.1Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 9pF | |
| Pd - Power Dissipation | 89W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 7A | |
| Ciss-Input Capacitance | 789pF | |
| Gate Charge(Qg) | 21.2nC@10V |
Guide d’achat
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| 5+ | $0.3584 | $ 1.7920 |
| 50+ | $0.2877 | $ 14.3850 |
| 150+ | $0.2573 | $ 38.5950 |
| 500+ | $0.2138 | $ 106.9000 |
| 2500+ | $0.1970 | $ 492.5000 |
| 5000+ | $0.1868 | $ 934.0000 |
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