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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SVF4N65CAF |
| Référence EBEE | E8467748 |
| Boîtier | TO-220F-3 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 650V 4A 2.3Ω@10V,2A 30W 4V@250uA 1 N-channel TO-220F-3 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3982 | $ 0.3982 |
| 10+ | $0.3121 | $ 3.1210 |
| 50+ | $0.2752 | $ 13.7600 |
| 100+ | $0.2306 | $ 23.0600 |
| 500+ | $0.2106 | $ 105.3000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N65CAF | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 2.3Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4.1pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 30W | |
| Drain to Source Voltage | 650V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V;4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 430pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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|---|---|---|
| 1+ | $0.3982 | $ 0.3982 |
| 10+ | $0.3121 | $ 3.1210 |
| 50+ | $0.2752 | $ 13.7600 |
| 100+ | $0.2306 | $ 23.0600 |
| 500+ | $0.2106 | $ 105.3000 |
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