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Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60CAD
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SVF4N60CAD |
| Référence EBEE | E8467746 |
| Boîtier | TO-252 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | None |
| Description | TO-252 MOSFETs ROHS |
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3132 | $ 1.5660 |
| 50+ | $0.2481 | $ 12.4050 |
| 150+ | $0.2202 | $ 33.0300 |
| 500+ | $0.1854 | $ 92.7000 |
| 2500+ | $0.1699 | $ 424.7500 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Hangzhou Silan Microelectronics SVF4N60CAD | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 2Ω@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 4.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 77W | |
| Drain to Source Voltage | 600V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 2V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 4A | |
| Ciss-Input Capacitance | 433pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 55pF | |
| Gate Charge(Qg) | 13nC@10V |
Guide d’achat
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190 Stock for Shipping Fast
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 5+ | $0.3132 | $ 1.5660 |
| 50+ | $0.2481 | $ 12.4050 |
| 150+ | $0.2202 | $ 33.0300 |
| 500+ | $0.1854 | $ 92.7000 |
| 2500+ | $0.1699 | $ 424.7500 |
| 5000+ | $0.1606 | $ 803.0000 |
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