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Hangzhou Silan Microelectronics SVDZ24NT
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SVDZ24NT |
| Référence EBEE | E82761789 |
| Boîtier | TO-220 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | 55V 17A 45mΩ@10V,10A 45W 4V@250uA 1 N-Channel TO-220 MOSFETs ROHS |
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|---|---|---|
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| 50+ | $0.2119 | $ 10.5950 |
| 150+ | $0.1885 | $ 28.2750 |
| 500+ | $0.1594 | $ 79.7000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Hangzhou Silan Microelectronics SVDZ24NT | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel | |
| RDS (on) | 45mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+175℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 12.5pF | |
| Number | 1 N-channel | |
| Pd - Power Dissipation | 45W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 400pF | |
| Output Capacitance(Coss) | 130pF | |
| Gate Charge(Qg) | 10.5nC@10V |
Guide d’achat
Développer
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| 50+ | $0.2119 | $ 10.5950 |
| 150+ | $0.1885 | $ 28.2750 |
| 500+ | $0.1594 | $ 79.7000 |
| 2000+ | $0.1464 | $ 292.8000 |
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