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Hangzhou Silan Microelectronics SVD1055SATR
| Fabricant | |
| Référence Fabricant | SVD1055SATR |
| Référence EBEE | E82761105 |
| Boîtier | SOP-8 |
| Numéro Client | |
| Fiche Technique | |
| Modèles EDA | |
| ECCN | - |
| Description | SOP-8 MOSFETs ROHS |
Ces matériaux prennent en charge les câbles personnalisés !
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Unité de vente : PieceSac complet : 200
| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3108 | $ 0.3108 |
| 10+ | $0.2746 | $ 2.7460 |
| 30+ | $0.2595 | $ 7.7850 |
| 100+ | $0.2399 | $ 23.9900 |
| 500+ | $0.2037 | $ 101.8500 |
| 1000+ | $0.1992 | $ 199.2000 |
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Spécifications
2768produits trouvés.Afficher les similaires| Type | Description | Tout sélectionner |
|---|---|---|
| Catégorie | Transistors/Thyistors ,MOSFET | |
| Fiche Technique | Hangzhou Silan Microelectronics SVD1055SATR | |
| RoHS | ||
| Type | N-Channel + P-Channel | |
| RDS (on) | 175mΩ@10V | |
| Température de fonctionnement | -55℃~+150℃ | |
| Capacité de transfert inversé (Crss-Vds) | 20.5pF | |
| Number | 1 N-Channel + 1 P-Channel | |
| Pd - Power Dissipation | 2W | |
| Drain to Source Voltage | 55V | |
| Gate Threshold Voltage (Vgs(th)) | 4V | |
| Current - Continuous Drain(Id) | 17A | |
| Ciss-Input Capacitance | 450pF | |
| Gate Charge(Qg) | - |
Guide d’achat
Développer
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| Qté. | Prix unitaire | Prix total |
|---|---|---|
| 1+ | $0.3108 | $ 0.3108 |
| 10+ | $0.2746 | $ 2.7460 |
| 30+ | $0.2595 | $ 7.7850 |
| 100+ | $0.2399 | $ 23.9900 |
| 500+ | $0.2037 | $ 101.8500 |
| 1000+ | $0.1992 | $ 199.2000 |
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